Новейшая «магнитная память» без магнитов
Специалисты из Иерусалима и научного университета Вайцмана изучили новый и относительно простой метод намагничивания материалов, который сможет «положить конец» необходимости применения постоянных электрических магнитов в системах записи магнитным способом. Кроме этого, конфигурация новых ячеек памяти совмещается с уже имеющимися техническими процессами изготовления полупроводников. Это позволяет создавать недорогие кремниевые устройства памяти, которые обладают очень высокими характеристиками по плотности хранения данных.
У существующих на данный момент видов памяти есть как свои преимущества, так и недостатки. Например, память RAM, обладающая достаточно хорошей скоростью работы, теряет хранящуюся в памяти информацию при отключении питания. А флэш-память, не зависящая от питания, имеет относительно малое быстродействие.
Но израильским специалистам все таки удалось изготовить абсолютно новый вид энергонезависимой памяти. Такая память хранит данные в виде определенно направленного вращения частиц магнитного материала. Данный тип памяти получил название спин-памяти. А основой являются молекулы различных соединений определенного вида. Они получили название chiral molecule. Отличительной особенностью таких молекул является свойство не содиняться в пространстве с иной молекулой - двойником. Определенная комбинация из подобных chiral molecule делает возможным реализацию передачи электронов и упорядочивание направления их вращения в нужные точки пространства. Это позволяет намагничивать или размагничивать микрочастицы обычного магнитного материала.
Запись, а также чтение данных осуществляется путем подачи определенных электрических сигналов на золотые электроды. Тогда, когда начинает протекать электрический ток, электроны начинают поляризоваться с помощью chiral molecule. В это же время поляризуются и частицы никеля, которые намагничиваются или размагничиваются. Чтение полученных данных производится с помощью слабого тока, который измеряет сопротивление каждой ячейки.
