Начиная с марта нынешнего года компания Qualcomm по порциям опубликовывала сведения о чипсете Snapdragon 820. Теперь процесс информирования о спецификациях данной платформы подошел к концу, что говорит о том, что она стала еще ближе к тому, чтобы появиться в серийных устройствах. Однако, не стоит рассчитывать на осуществление подобных планов ранее 2016 года.



Главным отличием от предшествующей платформы Snapdragon 810 стало возвращение к использованию ядер собственной разработки, вместо стандартных от компании ARM. В Snapdragon 820 используются 64-битные ядра Kryo с тактовой частотой до 2,2 ГГц, которые должны обеспечить вдвое большую производительность в сравнении с предшественниками, при одновременном росте экономичности благодаря новому контроллеру Hexagon 680 DSP. Прирост производительности при работе с графикой был озвучен еще в августе и должен составить 40% за счет использования подсистемы Adreno 530. Как и ожидалось техпроцесс при изготовлении 14-нм FinFET.

Модем X12 встроенный в чипсет поддерживает сети LTE Cat.12 со скоростью загрузки до 600 Мбит/с и Cat.13 со скоростью передачи до 150 Мбит/с, технологии FDD и TDD для LTE, DB-DC-HSDPA, DC-HSUPA, TD-SCDMA, EV-DO и CDMA 1x, а также GSM/EDGE. Наличествует агрегация LTE/Wi-Fi, поддержка LTE-U, LTE Broadcast, двух SIM карт, VoLTE и звонков через Wi-Fi. Wi-Fi-чип также поддерживает соединения 2x2 MU-MIMO 802.11ac. Максимальное поддерживаемое разрешение экрана — 4K, максимальное разрешение камеры — 28 МП. Чипсет способен работать с флэш-накопителями UFS 2.0 и eMMC 5.1, поддерживает работу двухканальной оперативной памяти LPDDR4 до 1866 МГц, соединения USB 3.0 и USB 2.0, NFC, Qualcomm Quick Charge 3.0.